Тайминг что это такое в играх

Тайминг что это такое в играх

Что означают эти непонятные цифры на оперативной памяти для ПК? Ведь тайминги напрямую влияют на ее быстродействие, но их величина — это вовсе не объем и не скорость. Рассказываем понятным языком и объясняем, какие параметры лучше.

При выборе оперативной памяти для ПК многие пользователи сталкиваются с вопросом изучения характеристик чипов, в том числе рабочих частот и таймингов. Но если с первыми все понятно — чем они выше, тем быстрее память, то со вторыми не все так просто. Мы расскажем, для чего нужен этот параметр и как выбрать планку с оптимальными значениями таймингов.

Что влияет на скоростные параметры ОЗУ

От скоростных показателей оперативной памяти зависит как быстро будет осуществляться обмен данными между процессором и жестким диском и системой. Чем выше частота работы чипов, тем больше операций чтения/записи она может выполнить в единицу времени. Конечно, от объема оперативной памяти также зависит общее быстродействие ПК, но лишь в определенных программах.

Это может быть интересно:

Характеристики памяти

Возьмем конкретный пример: планка оперативной памяти DDR3 1600 RAM имеет в обозначениях еще и такие характеристики, как PC3 12800, а у модуля DDR4 2400 RAM указано PC4 19200. Что это означает? Первая цифра указывает на частоту работы памяти в МГц, то вторая связана с битами:

1 байт = 8 бит

Из этого можно вычислить, что DDR3 с частотой 1600 МГц сможет обработать 12800 МБ/сек. Аналогично этому DDR4 2400 сможет пропустить через себя данные со скоростью 19200 МБ/сек. Таким образом, со скоростью обработки данных разобрались.

Теперь плавно переходим к таймингам. Эти цифры также указывают на наклейках на оперативной памяти в виде счетверённых через дефис цифр, например, 7-7-7-24, 8-8-8-24 и т.д. Эти цифры обозначают, какой промежуток времени (задержка) необходим модулю RAM для доступа к битам данных при выборке из таблицы массивов памяти.

Эта задержка характеризует, какое количество тактовых импульсов необходимо для считывания данных из ячеек памяти для 4-х таймингов. Самый важный из четырех цифр — первый, и на этикетке может быть написан только он.

Это может быть интересно:

Поэтому, в этих характеристиках действует обратный принцип: чем меньше числа, тем выше скорость. А меньшая задержка обеспечит быстрее считать или записать данные в ячейку памяти и затем достигнут процессора для обработки.

Тайминги замеряют период ожидания (CL, CAS Latency, где CAS — Acess Strobe) чипа памяти, пока он обрабатывает текущий процесс. Т.е. это время между получением команды на чтение и ее выполнением.

Со следующими двумя цифрами все несколько сложнее. Вторая цифра в строке таймингов RAS-CAS, ) является ни чем иным, как отрезок времени между получением команды «Active» и выполнением поступающей после нее команды на чтение или запись. Здесь также — чем меньше, тем лучше.

Третья цифра, это RAS Precharge — время, за которое проходит между завершением обработки одной строки и переходом к другой.

И последняя цифра демонстрирует параметр памяти Row Active. Он определяет задержку, в течение которой активна одна строка в ячейке.

Какие тайминги лучше выбирать

Допустим вы покупаете для своего ноутбука комплект оперативной памяти из двух планок DDR. В этом случае тайминги будут одинаковые у обеих модулей, что определяет их стабильную работу. Что касается величины, то определяющей является первая цифра, обозначаемая, как CL-9. А значения 9-9-9-24 можно охарактеризовать, как средние по быстродействию.

Вы также можете подобрать себе оперативную память в качестве апгрейда. Здесь также нужно придерживаться правила равных таймингов, и не допускать, чтобы какой-то из них, например, опережал почти на треть цикла.

Если же вы намерены установить на ПК самую быструю память, что следует учесть, что, например, тайминги 4-4-4-8, 5-5-5-15 и 7-7-7-21 могут обеспечить очень быстрый доступ к данным, но процессор и материнская плата не смогут этим воспользоваться. При этом важно, чтобы в материнской была возможность вручную установить тайминги для ОЗУ.

Как узнать тайминги оперативной памяти

Для этих целей не обязательно вскрывать корпус и вытаскивать из слотов планки оперативной памяти. Специальная бесплатная утилита CPU-Z позволит быстро узнать нужные цифры таймингов. Скачать ее можно с сайта программы.

Как посчитать тайминг самому

Для вычисления таймингов самостоятельно можно использовать довольно простую формулу:

Время задержки (сек) = 1 / Частоту передачи (Гц)

Таким образом, из скриншота с CPU-Z можно высчитать, что модуль DDR 3, работающий с частотой 400 МГц (половина декларируемого производителем значения, т.е. 800 МГц) будет выдавать примерно:

Читайте также:  Как в экселе заполнить номера по порядку

1 / 400 000 000 = 2,5 нсек (наносекунд)

периода полного цикла (время такта). А теперь считаем задержку для обоих вариантов, представленных в рисунках. При таймингах CL-11 модуль будет выдавать задержки периодом 2,5 х 11 = 27,5 нсек. В CPU-Z это значение показано как 28. Как видно из формулы, чем ниже каждый из указываемых параметров, тем быстрее будет ваша оперативная память работать.

Как вручную задать тайминги в BIOS

Такая возможность есть не в любой материнской плате — лишь в оверклокерских модификациях. Вы можете попробовать выставить тайминги вручную из предлагаемых системой значений, после чего нужно внимательно следить за стабильностью работы ПК под нагрузкой. Если в БИОС специальных настроек не предусмотрено, то стоит смириться с теми, которые установлены по умолчанию.

Читайте также:

Фото: компании-производители

Сегодня мы поговорим о наиболее точном определении таймингов и подтаймингов. Большинство статей в сети обладают ошибками и неточностями, а в очень достойных материалах не всегда рассмотрены все тайминги. Мы же постараемся восполнить этот пробел и дать как можно полную характеристику тем или иным временным задержкам.

Структура памяти напоминает таблицу, где сначала выбирают строку, а затем столбец. Эта таблица разбита на банки, для памяти плотностью меньше 64Мбит (SDRAM) количеством 2 штуки, выше — 4 (стандартно). Спецификация память DDR2 SDRAM с чипами плотностью 1Гбит предусматривает уже 8 банков. На открытие строки в используемом банке уходит больше времени, нежели в другом (т.к. используемую строку нужно сначала закрыть). Очевидно, что лучше новую строку открывать в новом банке (на этом основан принцип чередования строк).

Обычно на памяти (или в спецификации к ней) есть надпись вида 3-4-4-8 или 5-5-5-15. Это сокращенная запись (так называемая схема таймингов) основных таймингов памяти. Что же такое тайминги? Очевидно, что ни одно устройство не может работать с бесконечной скоростью. Значит, на выполнение любой операции уходит какое-либо время. Тайминги — это задержка, устанавливающая время, необходимое на выполнение какой-либо команды, то есть время от отправки команды до ее выполнения. А каждая цифра обозначает какое именно время необходимо.

Теперь разберем каждый по очереди. Схема таймингов включает в себя задержки CL-Trcd-Trp-Tras соответственно. Для работы с памятью необходимо для начала выбрать чип, с которым мы будем работать. Делается это командой CS# (Chip Select). Затем выбирается банк и строка. Перед началом работы с любой строкой необходимо ее активировать. Делается это командой выбора строки RAS# (при выборе строки она активируется). Затем (при операции линейного чтения) нужно выбрать столбец командой CAS# (эта же команда инициирует чтение). Затем считать данные и закрыть строку, совершив предварительный заряд (precharge) банка.

Тайминги расположены по порядку следования в простейшем запросе (для простоты понимания). Сначала идут тайминги, затем подтайминги.

Trcd, RAS to CAS delay — время, необходимое для активизации строки банка, или минимальное время между подачей сигнала на выбор строки (RAS#) и сигнала на выбор столбца (CAS#).

CL, Cas Latency — минимальное время между подачей команды на чтение (CAS) и началом передачи данных (задержка чтения).

Tras, Active to Precharge — минимальное время активности строки, то есть минимальное время между активацией строки (ее открытием) и подачей команды на предзаряд (начало закрытия строки). Строка не может быть закрыта раньше этого времени.

Trp, Row Precharge — время, необходимое для предварительного заряда банка (precharge). Иными словами, минимальное время закрытия строки, после чего можно активировать новую строку банка.

CR, Command Rate 1/2T — Время, необходимое для декодирования контроллером команд и адресов. Иначе, минимальное время между подачей двух команд. При значении 1T команда распознается 1 такт, при 2T — 2 такта, 3T — 3 такта (пока только на RD600).

Это все основные тайминги. Остальные тайминги имеют меньшее влияние на производительность, а потому их называют подтаймингами.

Trc , Row Cycle Time, Activate to Activate/Refresh Time, Active to Active/Auto Refresh Time — минимальное время между активацией строк одного банка. Является комбинацией таймингов Tras+Trp — минимального времени активности строки и времени ее закрытия (после чего можно открывать новую).

Trfc , Row Refresh Cycle Time, Auto Refresh Row Cycle Time, Refresh to Activate/Refresh Command Period — минимальное время между командой на обновление строки и командой активизации, либо другой командой обновления.

Читайте также:  Лучшие обои в wallpaper engine

Trrd , ACTIVE bank A to ACTIVE bank B command, RAS to RAS Delay, Row Active to Row Active — минимальное время между активацией строк разных банков. Архитектурно открывать строку в другом банке можно сразу за открытием строки в первом банке. Ограничение же чисто электрическое — на активацию уходит много энергии, а потому при частых активациях строк очень высока электрическая нагрузка на цепи. Чтобы ее снизить, была введена данная задержка. Используется для реализации функции чередования доступа к памяти (interleaving).

Tccd , CAS to CAS Delay — минимальное время между двумя командами CAS#.

Twr , Write Recovery, Write to Precharge — минимальное время между окончанием операции записи и подачей команды на предзаряд (Precharge) строки для одного банка.

Twtr , Trd_wr, Write To Read — минимальное время между окончанием записи и подачей команды на чтение (CAS#) в одном ранке.

RTW , Read To Write, (Same) Rank Read To Write — минимальное время между окончанием операции чтения и подачей команды на запись, в одном ранке.

Same Rank Write To Write Delayed — минимальное время между двумя командами на запись в одном ранке.

Different Rank Write to Write Delay — минимальное время между двумя командами на запись в разных ранках.

Twr_rd , Different Ranks Write To READ Delayed — минимальное время между окончанием записи и подачей команды на чтение (CAS#) в разных ранках.

Same Rank Read To Read Delayed — минимальная задержка между двумя командами на чтение в одном ранке.

Trd_rd , Different Ranks Read To Read Delayed — минимальная задержка между двумя командами на чтение в разных ранках.

Trtp , Read to Precharge — минимальный интервал между подачей команды на чтение до команды на предварительный заряд.

Precharge to Precharge — минимальное время между двумя командами предварительного заряда.

Tpall_rp , Precharge All to Active Delay — задержка между командой Precharge All и командой на активацию строки.

Same Rank PALL to REF Delayed — устанавливает минимальное время между командой Precharge All и Refresh в одном ранке.

Different Rank REF to REF Delayed — устанавливает минимальную задержку между двумя командами на обновление (refresh) в разных ранках.

Twcl , Write Latency — задержка между подачей команды на запись и сигналом DQS. Аналог CL, но для записи.

Tdal , цитата из JEDEC 79-2C, p.74: auto precharge write recovery + precharge time (Twr+Trp).

Trcd_rd/Trcd_wr , Activate to Read/Write, RAS to CAS Read/Write Delay, RAW Address to Column Address for Read/Write — сочетание двух таймингов — Trcd (RAS to CAS) и rd/wr command delay. Именно последним и объясняется существование разных Trcd — для записи и чтения (Nf2) и установки BIOS — Fast Ras to Cas.

Tck , Clock Cycle Time — период одного такта. Именно он и определяет частоту памяти. Считается она следующим образом: 1000/Tck=X Mhz (реальная частота).

CS , Chip Select — время, необходимое на выполнения команды, подаваемой сигналом CS# для выбора нужного чипа памяти.

Tac , DQ output access time from CK — время от фронта такта до выдачи данных модулем.

Address and Command Setup Time Before Clock — время, на которое передача установок адресов команд будет предшествовать восходящему фронту такта.

Address and Command Hold Time After Clock — время, на которое будут "заперты" установки адреса и команд после нисходящего фронта такта.

Data Input Setup Time Before Clock, Data Input Hold Time After Clock — то же, что и вышеуказанные, но для данных.

Tck max , SDRAM Device Maximum Cycle Time — максимальный период цикла устройства.

Tdqsq max , DDR SDRAM Device DQS-DQ Skew for DQS and associated DQ signals — максимальный сдвиг между стробом DQS и связанными с ним сигналами данных.

Tqhs , DDR SDRAM Device Read Data Hold Skew Factor — максимальный сдвиг "запирания" считанных данных.

Tch, Tcl , CK high/low pulse width — длительность высокого/низкого уровня тактовой частоты CK.

Thp , CK half pulse width — длительность полупериода тактовой частоты CK.

Max Async Latency — максимальное время асинхронной задержки. Параметр управляет длительностью асинхронной задержки, зависящей от времени, необходимого для передачи сигнала от контроллера памяти до самого дальнего модуля памяти и обратно. Опция существует в процессорах компании AMD (Athlon/Opteron).

Читайте также:  Как назвать аккаунт в инстаграме примеры

DRAM Read Latch Delay — задержка, устанавливающая время, необходимое для "запирания" (однозначного распознавания) конкретного устройства. Актуально при повышении нагрузки (числа устройств) на контроллер памяти.

Trpre , Read preamble — время, в течение которого контроллер памяти откладывает активацию приема данных перед чтением, во избежание повреждения данных.

Trpst, Twpre, Twpst , Write preamble, read postamble, write postamble — то же для записи и после приема данных.

Read/write Queue Bypass — определяет число раз, которое самый ранний запрос в очереди может быть обойден контроллером памяти, прежде чем быть выполненным.

Bypass Max — определяет, сколько раз самая ранняя запись в DCQ может быть обойдена, прежде чем выбор арбитра будет аннулирован. При установке в 0 выбор арбитра всегда учитывается.

SDRAM MA Wait State , Read Wait State — установка 0-2-тактного опережения адресной информации перед подачей сигнала CS#.

Turn-Around Insertion — задержка между циклами. Добавляет задержку в такт между двумя последовательными операциями чтения/записи.

DRAM R/W Leadoff Timing , rd/wr command delay — задержка перед выполнением команды чтения/записи. Обычно составляет 8/7 или 7/5 тактов соответственно. Время от подачи команды до активации банка.

Speculative Leadoff , SDRAM Speculative Read — Обычно в память поступает сначала адрес, затем команда на чтение. Поскольку на расшифровку адреса уходит относительно много времени, можно применить упреждающий старт, подав адрес и команду подряд, без задержки, что повысит эффективность использования шины и снизит простои.

Twtr Same Bank , Write to Read Turnaround Time for Same Bank — время между прекращением операции записи и подачей команды на чтение в одном банке.

Tfaw , Four Active Windows — минимальное время активности четырех окон (активных строк). Применяется в восьмибанковых устройствах.

Strobe Latency . Задержка при посылке строб-импульса (селекторного импульса).

Memory Refresh Rate . Частота обновления памяти.

Надеемся, что представленная нами информация поможет вам разобраться в обозначении таймингов памяти, насколько они важны и за какие параметры они отвечают.

Разгон компьютеров — Разгон, оверклокинг (от англ. overclocking) повышение быстродействия компонентов компьютера за счёт эксплуатации их в форсированных (нештатных) режимах работы. Содержание 1 Критерии штатного режима работы компьютера … Википедия

DDR SDRAM — У этого термина существуют и другие значения, см. DDR. типы DRAM памяти FPM RAM EDO RAM Burst EDO RAM SDRAM DDR SDRAM DDR2 SDRAM DDR3 SDRAM DDR4 SDRAM Rambus RAM QDR SDRAM VRAM WRAM SGRAM GDDR2 … Википедия

DRAM — типы DRAM памяти FPM RAM EDO RAM Burst EDO RAM SDRAM DDR SDRAM DDR2 SDRAM DDR3 SDRAM DDR4 SDRAM Rambus RAM QDR SDRAM VRAM WRAM SGRAM GDDR2 GDDR3 GDDR4 GDDR5 … Википедия

Динамическая память с произвольным доступом — типы DRAM памяти FPM RAM EDO RAM Burst EDO RAM DDR SDRAM DDR2 SDRAM DDR3 SDRAM QDR SDRAM WRAM SGRAM GDDR3 GDDR5 DRAM (Dynamic Random Access Memory) один из видов компьютерной памяти с произвольным доступом (RAM), наиболее широко используемый в… … Википедия

Оверклокер — Скриншот из тестовой программы, демонстрирующей разгон процессора Разгон, оверклокинг (от англ. overclocking) повышение быстродействия компонентов компьютера за счёт эксплуатации их в форсированных (нештатных) режимах работы. Содержание 1 … Википедия

Оверклокинг — Скриншот из тестовой программы, демонстрирующей разгон процессора Разгон, оверклокинг (от англ. overclocking) повышение быстродействия компонентов компьютера за счёт эксплуатации их в форсированных (нештатных) режимах работы. Содержание 1 … Википедия

Разгон компьютера — Скриншот из тестовой программы, демонстрирующей разгон процессора Разгон, оверклокинг (от англ. overclocking) повышение быстродействия компонентов компьютера за счёт эксплуатации их в форсированных (нештатных) режимах работы. Содержание 1 … Википедия

Латентность (характеристика оперативной памяти) — У этого термина существуют и другие значения, см. Латентность. Эту статью следует викифицировать. Пожалуйста, оформите её согласно правилам оформления статей. Латентность (англ. … Википедия

DNS — У этого термина существуют и другие значения, см. DNS (значения). DNS Название: Domain Name System Уровень (по модели OSI): Прикладной Семейство: TCP/IP Порт/ID: 53/TCP, 53/UDP Назначение протокола: Разрешение доменных имён … Википедия

Гарвардская архитектура — Гарвардская архитектура архитектура ЭВМ, отличительными признаками которой являются: 1. Хранилище инструкций и хранилище данных представляют собой разные физические устройства. 2. Канал инструкций и канал данных также физически разделены.… … Википедия

Ссылка на основную публикацию
Статическая и динамическая озу
Оперативная память (Random Access Memory – RAM), т.е. память с произвольным доступом, используется центральным процессором для совместного хранения данных и...
Создать новую электронную почту на яндексе бесплатно
Всем привет! С вами снова я, Алексей. В этом посте я расскажу вам о том, как создать электронную почту на...
Создать канал на ютубе регистрация бесплатно
Добрый день, уважаемые читатели и гости моего блога! Если вы попали на эту статью, значит хотите узнать, как зарегистрироваться в...
Статусы сообщений в whatsapp
Cтатусы показывают, используют ли ваши контакты WhatsApp в настоящий момент или то время, когда они были онлайн в последний раз....
Adblock detector